導通后的電壓降大,晶閘管或兩相控制硅的正向壓降可達1~2V,大功率晶體管的飽和壓降也在1~2V之間,指南 普通功率FET的導通電阻也大于機器觸點的導通電阻。在半導體器件關閉后,仍可能存在幾微安到幾毫安的漏電流,這是一個無法到達目的的電氣斷開。
由于管電壓降大,導通后的功耗和發熱也很大,并且大功率固態繼電器的體積大于相同容量的電磁繼電器的體積,并且 本錢也很高。電子元件和電子電路的溫度特性抗干擾才能差,耐輻射性差。 假如不采取有用的措施,牢靠性很低。
固態繼電用具有更大的過載延遲,并且快速熔斷器或RC電阻器電路過載。 固態繼電器的負載與環境溫度有關。 當溫度降低時,負載功率將靈敏降低。重要的缺陷是存在導通電壓降(需求響應散熱步驟),關斷狀態漏電流,AC / DC不能通用,接觸組數量少,其他過流, 過電壓和電壓恢復率,電流恢復率等候目的差別。
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